도시바, ‘新’ 메모리 공정기술 개발

도시바가 새로운 메모리 공정기술 개발로 다양한 애플리케이션에 최적화된 공정 적용이 가능하게 됐다.

도시바 코퍼레이션(Toshiba Corporation)은 저전력을 사용하는 65nm 로직 공정 기반 플래시 메모리 내장 공정과 130nm 로직 및 아날로그 파워 공정을 기반한 단일 폴리(single-poly) 비휘발성 메모리(NVM) 공정을 개발했다고 7월 7일 밝혔다. 

이번 기술 개발로 도시바는 마이크로컨트롤러, 무선 통신IC(집적회로), 모터 컨트롤러 드라이버 및 전원장치 IC 등 분야 제품 라인업의 확대가 가능해 졌고, 웨어러블 기기와 의료 장비 부문 등 저전력 소비 제품에 확대 적용할 방침이다.

이번 기술은 자체 개발한 65nm로직 공정 기술과 SST의 3세대 ‘슈퍼플래시’(SuperFlash?)셀 기술을 결합하며 높은 기술력을 선보이고 있다.

특히 전력 소비를 낮출 뿐 아니라 제품 개발 단계에서 애플리케이션 소프트웨어를 플래시 메모리에 쉽게 쓰거나 다시 쓰기 작업을 할 수 있어 개발 시간을 단축할 수 있는 장점이 있다.

또한 초저전력 소비 디바이스의 설계 기술을 통해 전문 플래시 주변회로 기술, 로직 및 아날로그 회로 기술 적용이 가능, 저전력 애플리케이션 수요를 만족시킬 것으로 보인다.

한편 도시바는 130nm-NVM과 65nm-플래시 메모리의 샘플 제품을 올해 4분기와 내년 2분기에 각각 출시할 예정이다. 더불어 MTP를 사용해 출력의 정확성을 조정함으로써 전력 관리 IC 같이 정확성이 필수적인 분야의 제품 라인업을 확대할 방침이다.

■ 도시바 www.toshiba.kr