GNE10xxTB 시리즈(사진. 로옴)

로옴(ROHM)이 기지국 및 데이터 센터를 비롯한 산업기기 및 각종 IoT 통신기기의 전원 회로용으로, 업계 최고 8V까지 게이트 내압(게이트 – 소스 정격전압)을 높인 150V 내압GaN HEMT 'GNE10xxTB 시리즈(GNE1040TB)'의 양산 체제를 확립했다.

일반적으로 GaN 디바이스는 저 ON 저항과 고속 스위칭 성능이 뛰어나, 각종 전원의 저소비전력화 및 주변 부품의 소형화에 기여하는 디바이스로서 활용이 기대되고 있지만, 게이트 내압이 낮아 스위칭 시의 디바이스 신뢰성에 과제가 있었다.

본 신제품은 이러한 과제에 대응하여, 독자적인 구조를 통해 게이트 – 소스 정격전압을 일반적인 6V에서 8V까지 높이는데 성공했다. 이에 따라, 스위칭 시에 6V를 초과하는 오버슈트 전압이 발생하더라도 디바이스가 열화되지 않으므로, 전원 회로의 설계 마진 향상 및 고신뢰화에 기여한다. 또한, 대전류 대응 및 방열성이 우수하고 범용성이 높은 패키지로 제품화를 함으로써, 실장 공정에서의 핸들링이 용이하다. 

신제품은 2022년 3월부터 양산 체제를 확립하였으며, 생산 거점은 전공정 로옴 하마마츠 주식회사(하마마츠), 후공정 로옴 주식회사(교토)다.

로옴은 저전력 및 소형화에 기여하는 GaN 디바이스를 'EcoGaN™'으로 라인업하고, 디바이스 성능을 더욱 향상시키기 위해 노력하고 있다. 향후, Nano Pulse Control™ 등 아날로그 전원 기술을 활용한 제어 IC 및 이러한 기술을 탑재한 모듈 개발을 추진하여 GaN 디바이스가 지닌 성능을 최대화시키는 파워 솔루션을 제공함으로써 지속 가능한 사회에 기여해 나갈 것이다.