사진. 로옴

전 세계적으로 탄소 절감을 실천하기 위해 전력 소비량을 줄이기 위한 움직임이 활발한 상황이다. 기업들은 저력 소비량을 감소시키기 위해 전원이나 모터의 효율을 개선하는 방안을 강구하고 있다. 이에 로옴이 서버 및 AC 어댑터 등 폭넓은 전원 시스템에 최적인 650V 내압 GaN(갈륨 나이트라이드/질화 갈륨) HEMT ‘GNP1070TC-Z’, ‘GNP1150TCA-Z’의 양산을 개시했다.

폭넓은 전원 시스템에 최적
탈탄소 사회의 실현을 위해, 전 세계 전력 소비량의 대부분을 차지하는 전원이나 모터의 효율 개선은 전 세계적인 사회 과제로 중요시되고 있다. 이러한 효율 개선의 열쇠가 되는 것이 파워 디바이스이며, 각종 전원의 한 차원 높은 고효율화를 위해, SiC(실리콘 카바이드/탄화 규소) 및 GaN 등 신재료의 활용이 기대를 모으고 있다. 

이에 로옴(ROHM)은 지속적인 연구를 진행하며 서버 및 AC 어댑터 등 폭넓은 전원 시스템에 최적인 650V 내압 GaN(갈륨 나이트라이드/질화 갈륨) HEMT ‘GNP1070TC-Z’, ‘GNP1150TCA-Z’의 양산을 개시했다.

지속적으로 디바이스 개발
신제품은 Delta Electronics, Inc.의 관계 회사로서 GaN 디바이스의 개발 등을 실시하는 Ancora Semiconductors Inc.와 공동으로 개발, 650V GaN HEMT의 디바이스 성능 지수 (RDS (ON)×Ciss/RDS(ON)×Coss)에서 업계 최고 수준을 실현했다. 이에 따라 스위칭 손실을 크게 삭감할 수 있어, 전원 시스템의 고효율화가 가능해진다. 또한, ESD 보호 소자를 내장함으로써 정전 파괴 내량이 3.5kV까지 향상되어, 어플리케이션의 고신뢰화에 기여한다. 그리고, GaN HEMT의 특징을 활용한 고속 스위칭 동작으로 주변 부품의 소형화에도 기여한다. 로옴은 어플리케이션의 저전력 및 소형화에 기여하는 GaN 디바이스를 ‘EcoGaN™ 시리즈’로 라인업해 디바이스 성능을 한층 더 향상시키기 위해 노력하고 있다. 또한, 디바이스 개발과 더불어, 전략적 파트너십 체결 및 공동 개발을 추진해 애플리케이션의 고효율화 및 소형화를 실현함으로써 사회적 과제 해결에 기여하고 있다.

한편 로옴은 2022년에 업계 최고인 8V까지 게이트 내압을 높인 150V 내압 GaN HEMT의 양산을 개시한 바 있다.