마이크렐, 적응형 데드타임 및 슛-스루 보호기능 갖춘  

85V 하프 브리지 MOSFET 드라이버 출시  

마이크렐은 적응형 데드타임(Adaptive-Dead-Time) 및 슛-스루(Shoot-Through) 보호기능을 갖춘 85V 하프 브리지(Half Bridge) MOSFET 드라이버, MIC4605를 발표했다. 적응형 데드타임 회로는 하이 및 로우-사이드 MOSFET의 이행 시간을 최소화하기 위해 하프 브리지를 능동적으로 모니터링하며, 전력 효율을 극대화한다. 슛-스루 방지 회로는 동시에 두 MOSFET을 조정할때 발생하는 잘못된 입력 및 노이즈를 방지한다.

또한 MIC4605는 시스템 효율을 극대화하기 위해 5.5V~16V에 이르는 넓은 공급전압 범위를 제공한다. 5.5V의 낮은 동작전압은 배터리 기반 애플리케이션의 구동시간을 연장시킬 수 있다. 이러한 기능을 갖춘 MIC4605는 전동공구 및 파워 DC/AC 인버터와 같은 산업분야의 가장 까다로운 배터리로 구동되는 모터 애플리케이션에 매우 적합하다.
마이크렐의 고성능 리니어 및 전력 솔루션 부문 브라이언 헤다야티(Brian Hedayati) 마케팅 부사장은“보다 높은 효율에 대한 요구는 새로운 정부규제로 인해 점점 더 증가하고 있으며, 전기 모터는 전기전력을 가장 많이 소모하는 제품 중 하나로, 모터 디자이너는 보다 효율적이고 안정적인 솔루션을 필요로 한다”고 말하고“MIC4605는 업계에서 가장 견고하고 전력 효율이 높은 하프 브리지 MOSFET 드라이버 중 하나로, 모터 드라이브나 UPS, DC/AC 인버터를 비롯한 여러 다양한 애플리케이션을 구현할 수 있도록 디자인되었다”고 밝혔다.

적응형 데드타임 회로는 하프 브리지 스위치 회로에서 MOSFET을 능동적으로 모니터링하며, 한번에 하나의 MOSFET만 활성화되도록 함으로써 영구적으로 하프 브리지 회로를 파괴하는 크로스 컨덕션 상태를 방지할 수 있다. 또한 적응형 데드타임 회로는 하이-사이드 및 로우-사이드 MOSFET 간의 전이 과정에서 데드타임이 길 경우 전력 효율이 저하되기 때문에 전력 손실을 최소화할 수 있도록 짧은 시간에 처리된다. 이러한 적응형 데드타임 회로는 크로스 컨덕션을 보호하기 위해 HI 및 LI 입력 간의 지연 시간이나 데드타임 마진을 설계할 필요가 없으며, 마이크로컨트롤러의 헤드룸 요건을 줄일 수 있다. 또한 85V의 동작전압은 모터 드라이브나 전원공급장치 애플리케이션에서 나타나는 전압 스파이크를 보호함으로써 상당한 마진을 제공한다. 이러한 특성으로 인해 MIC4605는 저전압 및 고전압 애플리케이션에서 모두 이상적인 솔루션이다.

MIC4605는 1nF 커패시터 부하에서 고속 30ns의 전파지연 시간 및 35ns의 드라이버 상승/하강 시간을 갖추고 있다. MIC4605 -1의 경우, TTL 입력은 로우-사이드 및 하이-사이드 게이트 드라이버의 독립적인 제어가 가능하다. MIC4605 -2는 로우-사이드 및 하이-사이드 게이트 드라이버를 위한 단일 PWM 입력을 가지고 있다. 출력은 어떠한 모드와도 중첩되지 않는다. 내부의 고전압 숏키 다이오드는 하이-사이드, 게이트-드라이브 부트스트랩(외부) 커패시터를 충전한다. MIC4605는 8핀 SOIC 패키지 및 얇은 10핀 2.5mm×2.5mm TDFN 패키지로 제공된다. 두 패키지 모두 동작 접합 온도는 -40℃~+125℃이다.

<반도체네트워크 8월> 글/반도체네트워크 편집부