일부서 "수율 기대 못미쳐" 실적 발표전까지 지속될듯 삼성전자의 부인에도 불구하고 삼성의 80나노 미세회로공정 이상설이 수그러들지 않고 있다. 17일 업계에 따르면 지난 3월 업계 최초로 삼성전자가 80나노 공정을 적용한 512메가비트(Mb) DDR2 D램 양산에 돌입한 데 이어, 같은 공정으로 지난달부터는 1기가 비트(Gb) DDR2 D램 양산에 들어갔으나 수율이 당초 기대에 못미친다는 설이 확산되고 있다. 80나노 공정은 현재 주력인 90나노 공정 대비 50% 이상 생산성을 향상시킬 수 있는 기술로 첨단 반도체 기업들이 속속 도입하는 기술이다. 그러나 삼성전자는 D램 라인을 80나노 공정으로 전환하는 과정에서 `회로 패턴 마진 부족`과 `캐패시터(충전기)의 충전능력 저하` 등 예상치 않은 문제가 발생해 수율이 제대로 나오지 않고 있다는 게 업계의 주장이다. 업계의 주장에 따르면 80나노 미세회로를 설계하면서 회로마진을 적게 잡아 미세한 오류에도 회로에 문제가 발생한다는 것과, 캐패시터 제조 시의 증착과정의 문제로 충전능력이 떨어진다는 것. 이에 대해 삼성전자는 사실과 다르다며,`80나노 공정 이상설`을 강력히 부인하고 있다. 삼성전자 메모리제조담당 김재욱 사장은 "80나노 공정 이상설은 일부 와전된 것이다"며 "현재 80나노 공정에는 전혀 문제가 없다"고 말했다. 삼성전자 반도체 부문의 또 다른 임원도 "지난 3월 80나노 공정을 시작하면서 통상 양산 초기에 발생할 수 있는 문제가 일부 있었으나, 이는 어디나 있을 수 있는 문제로 현재 해결돼 공정에 이상이 없다"고 주장했다. 하지만 삼성전자의 80나노 공정 이상설이 수그러들지 않고 있는데, 이는 후발주자인 하이닉스의 80나노 수율이 크게 개선된 것과 대조적인 모습을 보이고 있기 때문으로 풀이된다. 하이닉스 관계자는 "80나노 공정 기술 개발과 양산을 유기적으로 전개한 결과, 생산라인의 수율을 조기에 확보할 수 있게 됐다"고 말했다. 이와 관련 업계에서는 삼성과 하이닉스의 수율차이가 10% 가량 날 것이라는 주장도 나오고 있는 실정이다. 삼성전자 황창규 사장이 지난 11일 반도체 설명회에서 3ㆍ4분기에 사상 최대의 매출을 기록할 것이라고 밝혀, 80나노 이상설에는 무게감이 다소 떨어지는 부분이 있다. 하지만 삼성전자의 부인에도 불구하고 이같은 수율 논쟁은 3ㆍ4분기 실적이 나오기 전까지는 당분간 지속될 것으로 보인다.