삼성전자가 차세대 고성능 모바일 기기, 메모리카드, SSD(Solid State Drive) 등 제품에 탑재할 차세대 고속 낸드플래시 기술을 개발하고 플래시 메모리 시장 성장을 이끈다.

차세대 고속 낸드플래시는 기존 범용 낸드플래시보다 10배로 빨라진 400Mbps(Megabit per Second) 속도로 데이터 처리가 가능하다.

삼성전자는 차세대 고속 낸드플래시의 인터페이스 규격인 ‘Toggle DDR(Double Data Rate) 2.0’이 시장 표준으로 자리잡을 수 있도록 JEDEC(세계반도체표준협의기구, Joint Electron Device Engineering Council) 표준 등록을 추진하고 있다.

삼성전자는 지난해 ‘Toggle DDR 1.0’ 방식의 30나노급 32Gb(기가비트) 고속 낸드플래시를 세계 최초로 양산하기 시작했고, ‘Toggle DDR 2.0’ 방식의 차세대 고속 낸드플래시는 내년부터 본격적으로 양산할 예정이다.

삼성전자는 낸드플래시를 탑재하는 제품들의 발전에 따라 20나노급 이하 낸드플래시 전 제품에 ‘Toggle DDR 2.0’ 기술을 적용할 계획이다.

‘Toggle DDR 2.0’ 방식의 차세대 고속 낸드플래시는 기존 SDR(Single Data Rate) 방식의 범용 낸드플래시의 데이터 처리속도 40Mbps에 비해서는 10배, 133Mbps인 ‘Toggle DDR 1.0’ 방식 고속 낸드플래시에 비해서는 3배 빠르다.

차세대 고속 낸드플래시를 SATA2(Serial Advanced Technology Attachment 2) SSD에 탑재할 경우, 현재보다 읽기·쓰기 속도를 두 배로 높일 수 있다.

삼성전자는 지난 6월 JEDEC에 차세대 고속 낸드플래시 표준으로 ‘Toggle DDR 2.0’을 제안하고 내년 초까지 등록을 완료할 계획이다.

일본의 도시바社도 ‘Toggle DDR 2.0’의 표준화 작업에 참여키로 결정했다.

삼성전자 반도체사업부 메모리 전략마케팅팀 전동수 부사장은 “삼성전자는 지난해 11월 30나노급 고속 낸드플래시를 최초로 양산하는 등 고성능 낸드플래시 시장 성장을 주도해왔다”며, “앞으로 고속 낸드플래시는 4세대 스마트폰, 태블릿 PC, SSD 등 여러 제품에 탑재되는 등 수요가 크게 증가해 낸드플래시 시장을 성장을 이끌 것”이라고 말했다.

삼성전자는 고성능·대용량 플래시 메모리 솔루션을 고객의 요구에 맞춰 다양하게 공급해, 낸드플래시 탑재 응용제품 시장 성장과 함께 플래시 메모리 성장을 이끌어 나갈 계획이다.