고방열 모바일 D램 / 사진. SK하이닉스

SK하이닉스가 ‘High-K EMC(Epoxy Molding Compound)’ 소재를 적용한 고방열 모바일 D램 제품을 개발하고 글로벌 고객사에 공급을 시작했다고 8월 28일(목) 밝혔다.

이번 신제품은 최신 플래그십 스마트폰에서 온디바이스(On-Device) AI 구현 시 발생하는 발열 문제를 해결하는 데 초점을 맞췄다. 회사는 “데이터 고속 처리 과정에서 발생하는 발열은 스마트폰 성능 저하의 주요 원인”이라며 “고방열 모바일 D램은 글로벌 고객사들로부터 높은 평가를 받고 있다”라고 설명했다.

EMC는 반도체 패키지를 외부 환경으로부터 보호하고 열을 방출하는 통로 역할을 하는 필수 소재다. SK하이닉스는 기존 실리카(Silica) 소재 대신 알루미나(Alumina)를 혼합 적용한 신소재 High-K EMC를 도입했다. 이를 통해 열전도도를 기존 대비 약 3.5배 높였으며, 열이 수직으로 이동하는 경로의 열 저항도 47% 개선했다.

최신 스마트폰은 모바일 AP(Application Processor) 위에 D램을 적층하는 PoP(Package on Package) 구조를 사용한다. 이 방식은 공간 활용과 데이터 처리 속도에서 이점이 있지만, AP에서 발생한 열이 D램 내부에 누적돼 전체 성능 저하로 이어지는 문제가 있었다. SK하이닉스는 고방열 D램을 통해 이 문제를 해소하고, 성능 개선과 소비전력 절감, 배터리 지속시간 연장, 제품 수명 향상까지 가능하게 했다고 강조했다.

SK하이닉스 이규제 부사장(PKG제품개발 담당)은 “이번 제품은 단순 성능 향상을 넘어 고성능 스마트폰 사용자들이 겪는 발열 불편을 줄이는 데 기여한다는 점에서 의미가 크다”라며 “소재 기술 혁신을 기반으로 차세대 모바일 D램 시장에서 기술 리더십을 확고히 할 것”이라고 말했다.