Z-RAM 고밀도 메모리 IP 개발회사인 이노베이티브 실리콘(ISi; Innovative Silicon Inc.)이 하이닉스 반도체(Hynix Semiconductor)의 DRAM에 자사의 Z-RAM IP 라이센스를 제공한다고 발표했다. Z-RAM 기반의 DRAM은 트랜지스터와 커패시터의 결합 형태가 아닌 하나의 싱글 트랜지스터 비트셀(bitcell)을 사용한다. 이는 1970년대 초반에 DRAM이 개발된 이후 DRAM 비트셀의 구조가 최초로 변화한 구조이다. 이번 기술 라이센스 합의를 통해 하이닉스는 DRAM 시장에 Z-RAM을 도입시킬 수 있는 최초의 기회를 얻게 되었으며 라이센스의 효과를 증대시키기 위해 양사는 엔지니어링 자원 확보에 주력하고 있다. Z-RAM은 세계에서 가장 저렴한 비용으로 구현된 최초의 임베디드 메모리 기술로 모바일 칩셋, 마이크로프로세서, 네트워킹 및 소비재 애플리케이션과 같은 로직 기반 IC에 활용된다. 2005년 12월 AMD는 당시 최신의 마이크로프로세서 설계를 위해 이 기술을 최초로 라이센스했다. 하이닉스에게 제공되는 이번 라이센스를 통해 Z-RAM은 300억 달러 이상 규모의 메모리 시장에서 가장 비용이 저렴한 메모리 기술이 되었다. 하이닉스의 R&D 담당 홍성주 부사장은 “Z-RAM은 나노미터 공정 기반의 섬세하고 우수한 고밀도 DRAM 생산에 매우 효율적인 솔루션을 제공한다”고 말하면서 “앞으로 ISi의 혁신적인 Z-RAM 기술을 활용해 새로운 플랫폼을 개발하여 메모리 업계에서 하이닉스의 위상을 더욱 강화할 것으로 기대한다”고 덧붙였다. ISi의 CEO 마크-에릭 존스(Mark-Eric Jones)는 “메모리 IC 업계를 선도하는 하이닉스의 제품은 휴대폰, MP3 플레이어, 디지털 카메라와 같은 휴대용 디바이스는 물론 개인용 컴퓨터, 서버, 워크스테이션, 그래픽 카드와 같은 전자 디바이스에 이르기까지 방대한 제품에 적용되어 사용되고 있다. 하이닉스가 Z-RAM 메모리 기술을 채택함에 따라 ISi 기술의 장점이 또 한번 입증되어 상용화가 더욱 급진전하게 되었다”고 말하면서 ISi의 Z-RAM 기술을 내장한 메모리 칩은 더 작고 저렴하게 제조될 수 있다고 강조했다. 한편 ISi는 DRAM 칩 분야의 강자인 하이닉스와 유대관계를 더욱 강화하여 엔드 유저들에게 더 나은 성능과 유용성을 제공하는데 주력할 계획이다. ISi의 제프 루이스(Jeff Lewis) 마케팅 부사장은 “우리는 이번 라이센스 제공이 양사 모두에게 중요한 이정표가 될 것으로 본다”면서 “Z-RAM은 DRAM의 설계 및 제조 과정에 중요한 영향을 미치게 될 것이다. 2006년 한 해 동안 330억 달러 이상의 시장 규모로 성장한 DRAM 업계는 이번 기술 라이센스를 계기로 전자 업계에서 더욱 큰 영향력을 미칠 것”이라고 말했다. ISi의 싱글 트랜지스터(1T) 비트셀 아키텍처는 세계 최소형의 메모리 셀로서 가장 높은 밀도를 구현할 뿐 아니라 세계 최저 비용의 반도체 메모리 솔루션을 가능케 하기 때문에 Z-RAM은 오늘날의 표준 DRAM과 SRAM 솔루션과는 구분된다. Z-RAM의 싱글 트랜지스터 메모리 비트셀은 SOI(Silicon-On-Insulator) 웨이퍼로 제조된 회로에서 FBE(Floating Body Effect)을 통해 가능케 된다. 게다가 Z-RAM은 자연적으로 발생되는 SOI 효과의 이점을 갖고 있기 때문에 메모리 비트셀 내에서 커패시터 또는 다른 복잡한 구조를 갖추기 위해 특별히 공정을 변화시킬 필요가 없다. 출처 : 이노베이티브실리콘(ISi)