다우코닝이 TOK와 공동개발한 실리콘 주입 이중층 포토레지스트, IC메모리 제품에 사용 다우코닝이 TOK와 공동개발한 실리콘 주입 이중층 포토레지스트, IC메모리 제품에 사용
이주형 2007-12-04 08:45:59
다우코닝 (www.dowcorning.co.kr, 한국 대표이사 조달호)은 TOK (Tokyo Ohka Kogyo)와 공동 개발한 이중층 포토레지스트를 DRAM칩 제조업체에 공급한다고 발표했다. 새로운 이중층 포토레지스트는 이미징 층에서 다우코닝의 실리콘 폴리머를 사용함으로써 타 제품보다 향상된 식각 선택을 가능케 한다. 포토레지스트는 광감응 소재로 빛에 노출되면 가용 혹은 불용성 물질이 되므로 식각 공정 과정에서 부분 제거가 가능하다. 다우코닝의 혁신적인 실리콘 폴리머를 TOK의 감광성 소재에 적용하면 웨이퍼의 패턴 뭉개짐이 없이 패턴 해상도가 향상되어 더 작은 회로 패턴을 더 얇은 포토레지스트 층에 사용할 수 있게 된다. 이 새로운 포토레지스트는 하드마스크 층 및 여러 층이 필요한 포로레지스트 공정 과정을 제거하여 리소그래피의 비용을 절감케 한다. 이 제품은 또한 첨단 이미징 기술로 45나노급 이하의 시장을 확보하고 있는 이머젼 및 건식 리소그래피 모두에서 사용 가능하다. TOK는 35나노 라인/공간 패턴까지 공정 가능한 이머젼 리소그래피 기반의 포토레지스트를 소개한 바 있다. 토모노부 노구치 (Tomonobu Noguchi) 다우코닝 전자 및 첨단 기술 마케팅 담당 이사는 “반도체 제조업체들이 새로운 실리콘 주입 포토레지스트의 장점을 이해함에 따라 TOK와 파트너쉽으로 개발한 성과가 빛을 보이고 있다”며 “이러한 혁신적인 소재를 사용함으로써 포토레지스트는 193나노 리소그래피의 성능을 연장시키는 기술 혁신의 새로운 단계에 본격적으로 접어들게 되었다”고 언급했다. 다우코닝 및 TOK는 고성능의 실리콘 주입 포토리소그래피 소재를 2002년부터 공동 개발해오고 있다. TOK의 섬세한 마이크로프로세스 기술 및 포토리소그래피 애플리케이션 전문성이 다우코닝의 혁신적인 소재 및 생산력과 결합한 것이다. 리소그래피 개발은 일본의 가나가와에 위치한 TOK R&D에서 진행 중이다. 출처 : 다우코닝
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