세계 최대 반도체 제조업체이자 무선 애플리케이션용 반도체 칩 공급업체인 ST마이크로일렉트로닉스 (www.st.com)은 CMOS 45nm RF (Radio Frequency) 기술을 통해 구현된 최초의 실용 디바이스를 성공적으로 제조했다고 발표했다. 최첨단 기술은 차세대 WLAN (Wireless Local Area Network) 애플리케이션에 필수적으로 사용될 것이다. 프랑스의 크롤 (Crolles)의 300mm 실리콘 웨이퍼로 제조된 프로토타입형 SoC (System-on-Chip) 디바이스는 RF 신호의 초기 검출에서부터 연속 처리를 위한 디지털 데이터 출력에 이르기까지 완벽한 기능 체인을 통합했다. 이러한 프로토타입은 최첨단 성능과 밀도 (저잡음 증폭기, 믹서, ADC 및 1.1V에서 필터링 동작을 위한 0.45mm²)를 실현시킨다. 이번 ST의 실리콘 혁신 기술은 CMOS RF 파생 기술을 위한 전략의 결과이며 45nm와 32nm 기술 노드에서 단일칩 모바일 솔루션을 생산하는 ST의 역량을 더욱 강화하게 되었다. 이번 성과는 ST의 첨단 45nm CMOS RF 파생 기술 및 세계 최고의 RF 설계, 시뮬레이션, 특성화 부문 전문 기술이 결합된 결과이다. 파생 기술들은 특정 애플리케이션에 부가 가치를 제공하는 표준 코어-CMOS 기술 플랫폼의 독자적인 변경 결과물이다. ST의 아날로그/RF 파생 기술은 레지스터, 커패시터, 인덕터와 같은 수동 디바이스가 고성능, 고밀도 디지털 로직 기능을 통합시킬 수 있게 한다. ST마이크로일렉트로닉스의 첨단 R&D - 고성능 로직 & 파생제품 사업부 프론트-엔드 기술 및 제조 담당 그룹장인 마이크 톰슨 (Mike Thompson)은 “최초의 디바이스 개발로 차세대 WLAN 커넥티비티 솔루션의 시장 출시를 구현하는 45nm RF 파생 기술력을 완벽히 입증하였다. 45nm RF 공정은 최종 디바이스가 통합형 RF/아날로그 기능이나 다양한 유형의 임베디드 메모리 기능과 같은 애플리케이션을 제공할 수 있도록 독자적인 공정 단계를 통합시킴으로써 핵심적인 CMOS 플랫폼에 가치를 실현하는 ST의 역량을 실증하는 좋은 예이다”라고 말했다. 출처 : ST마이크로일렉트로닉스