로옴(ROHM)이 산업기기 및 통신기기를 비롯한 각종 전원 회로용으로 150V 내압의 GaN HEMT(이하, GaN 디바이스)의 업계 최고 8V 게이트 내압(게이트 - 소스 정격전압) 기술을 개발했다.

GaN 디바이스는 실리콘 디바이스 대비 저 ON 저항치와 고속 스위칭 성능이 우수하여, 기지국이나 데이터 센터 등 각종 스위칭 전원의 저소비전력화 및 소형화에 기여하는 디바이스로서 활용이 기대되고 있다. 그러나, 게이트 - 소스 정격전압이 낮아, 스위칭 시에 정격을 넘는 오버슈트 전압이 발생하는 경우가 있으므로, 디바이스의 신뢰성에 큰 과제가 있었다.

로옴은 독자적인 구조를 통해 게이트 - 소스 정격전압을 일반적인 6V에서 8V로 높이는데 성공했다. 이에 따라, 고효율이 요구되는 GaN 디바이스 채용 전원 회로의 설계 마진 향상 및 고신뢰성화가 가능하게 되었다. 또한, 낮은 기생 인덕턴스로 디바이스의 성능을 최대화시킴과 동시에, 기판 실장이 용이하고 방열성도 우수한 전용 패키지를 개발함으로써, 기존의 실리콘 디바이스를 대체하여 사용할 때나 실장 공정에서의 핸들링이 용이하다.

앞으로도 로옴은 본 기술을 사용한 GaN 디바이스의 개발을 가속화하여, 2021년 9월 제품 샘플을 출하할 예정이다.