사진. CGD

친환경 전자제품을 위한 에너지 효율적인 GaN 기반 전력 디바이스 제품군을 개발하고 있는 팹리스와 반도체 기술 기업인 CGD(Cambridge GaN Devices)는 유통 분야의 고품질 서비스 선도업체인 디지키(DigiKey)와 유통 계약을 체결했다고 밝혔다. 글로벌 계약 조건에 따라 디지키는 CGD의 사용하기 쉽고, 견고한 고효율 ICeGaN™ HEMT 및 관련 제품을 상당량 보유하게 된다.

CGD의 CCO(Chief Commercial Officer)인 안드레아 브리코니(Andrea Bricconi)는 “이번 계약은 CGD의 비즈니스 확장은 물론, 엔지니어들이 고전압 전력변환을 위한 ICeGaN의 이점을 탐색하고 활용할 수 있는 GaN 에코시스템 구축의 중요 이정표가 될 것이다.”며, “널리 인정받는 신뢰할 수 있는 브랜드인 디지키와의 계약으로 CGD가 전 세계적으로 새로운 시장을 개척하고, 지원하는데 큰 도움이 될 것이다.”고 말했다.

디지키의 신규 시장 개발 부사장인 미시 홀(Missy Hall)은 “FBD(Fulfilled by DigiKey) 프로그램에 CGD가 새롭게 합류하게 되어 매우 기쁘게 생각한다. 디지키의 포트폴리오에 CGD의 ICeGaN 시리즈 트랜지스터를 추가함으로써 고객들에게 훨씬 더 에너지 효율적인 옵션을 제공할 수 있게 되었다.”며, “보다 포괄적인 고객 기반을 구축하기 위해 노력하고 있는 디지키의 공급업체 커뮤니티에 CGD가 추가됨으로써 보다 완벽한 포트폴리오를 통해 고객들의 획기적인 혁신을 지원할 수 있게 되었다.”고 밝혔다.

CGD는 최근 650V H2 시리즈 ICeGaN 질화갈륨 HEMT 제품군을 출시했다. 현재 상용으로 공급되는 게이트 드라이버를 이용해 구동이 가능한 이 새로운 부품들은 설계 복잡성을 줄일 수 있다. 또한 ICeGaN HEMT는 효율성 측면에서도 실리콘 부품보다 10배 낮은 QG와 5배 적은 QOSS를 갖추고 있다. 이를 통해 스위칭 손실을 크게 줄일 수 있어 업계 선도적인 효율성을 달성하고, 시스템 크기와 무게 및 비용을 줄일 수 있다. 또한 H2 시리즈 ICeGaN HEMT는 CGD의 스마트 게이트 인터페이스를 채택하여 일반적인 e-모드 GaN의 단점을 거의 제거하고, 신뢰성 및 견고성 문제를 해결할 수 있다. 이 디바이스들은 향상된 과전압 내성 및 더 뛰어난 노이즈 무결성 임계값, dV/dt 억제 및 ESD 보호 기능을 갖추고 있다.