사진. 로옴

로옴(ROHM)은 자동차, 산업, 민생기기 등의 전원 회로 및 보호 회로용으로, trr을 높은 수준으로 고속화한 100V 내압 쇼트키 배리어 다이오드(이하, SBD) YQ 시리즈를 개발했다. 

YQ 시리즈는 다양한 회로에 대응 가능한 4종류의 기존 SBD 시리즈에 이어, 새로운 시리즈로서 로옴의 다이오드 중에서는 처음으로 Trench MOS 구조를 채용했다. 

독자적인 구조 설계를 통해 높은 수준의 trr(15ns)을 실현함으로써 Trench MOS 구조를 채용한 일반품 대비, trr 자체의 손실을 약 37％, 스위칭 손실 전체를 약 26％ 삭감해, 어플리케이션의 저소비전력화에 기여한다. 또한, Trench MOS 구조 채용으로 순방향 인가 시에 손실이 되는 VF와 역방향 인가 시에 손실이 되는 IR을 모두 Planar 구조의 기존 SBD에 비해 개선했다.