뉴모닉스, 획기적인 설계 기술로 최초로 45nm NOR 플래시 메모리 칩 구현
-신 기술로 기술 우위 확대하고, 고객들에게 성능 개선 및 연속성 제공-
뉴모닉스(Numonyx B.V.)는 오늘 45나노미터(nm) 공정 기술을 이용한 MLC(multi-level cell) NOR 플래시 메모리 제품 샘플을 업계 최초로 발표했다. 이를 통해 뉴모닉스는 자사의 메모리 제품 성능을 현격하게 개선하면서 고객들에게 높은 수준의 연속성과 신뢰성을 제공할 수 있게 되었다. 오늘 발표된 제품은 시장에 출시된 것 중 가장 발전된 NOR 플래시로서 뉴모닉스 65nm 이전 세대 제품이상으로 그 성능이 확장되었다. 뉴모닉스 NOR 플래시 메모리 칩은 휴대폰에서 주요 기능을 구동하고, 개인 데이터를 관리하며, 사진, 음악 및 비디오를 저장하기 위해 가장 일반적으로 사용되고 있다.
45 nm 1기가비트 (Gb) 단일 칩 장치는 뉴모닉스 스트라타플래시 (Numonyx™ StrataFlashR) 메모리 아키텍처를 기반으로 하며, 뉴모닉스 에서 양산중인 65 nm NOR 플래시 칩과 대체(drop-in compatible)가 가능하다. 이러한 아키텍처 호환성과 연속성은 휴대폰 OEM 사들에게 개발 비용을 낮추고, 현 플랫폼의 수명을 연장하며, 큰 저장 공간과 신속한 XIP(execute-in-place) 메모리 기능을 활용한 신 제품을 신속하게 시장에 출시할 수 있다. 또한, 이 신 기술은 이전 세대 제품에 비해 데이터 쓰기 속도가 최대 50 퍼센트 개선될 예정이다.
뉴모닉스 CTO(Chief Technology Officer)인 에드 달러(Ed Doller)는 “휴대폰 메모리 시장은 여전히 그 규모가 크고, 고용량, 저비용의 비휘발성 NOR 플래시 메모리에 대한 수요로 인해 공격적인 공정미세화 요건이 지속되고 있다”면서 “뉴모닉스 엔지니어들은 업계에서 가장 앞선 45nm 기술을 기반으로 제7세대 MLC NOR 플래시를 만들고, 고객들에게 비용 및 성능 혜택을 가장 먼저 제공하는 업체가 되기 위해 새로운 프로세스 기술을 개발함으로써 주요 공정미세화의 한계를 극복했다”고 말했다.
뉴모닉스 기술자들은 새로운 NOR 플래시 메모리 기술을 설계하는 방식에서 획기적인 발전을 이루었다. 새로운 SAC(self-aligned contact) 접근방식을 이용하는 이 방식으로 뉴모닉스 NOR 플래시 메모리 제품은 계속해서 미세화되면서도 이전 제품과의 호환성, 최상의 품질 및 신뢰성을 유지할 수 있다. “업계 전체가 모든 플래시 메모리 기술의 공정미세화를 고민하고 있는 이 시기에 고객들에게 고객들의 비용 및 신뢰성 요건을 충족시키고, 나아가 이를 뛰어 넘는 아키텍처 및 제품 연속성을 제공할 수 있게 된 것은 상당한 성과”라고 에드 달러 CTO는 덧붙였다.
뉴모닉스는 현재 제한된 수량과 용량으로 샘플링을 하고 있으며, 올 해 이 신 기술을 기반으로 하는 제품을 도입할 계획이다. 본격적인 생산은 2010년에 시작될 것으로 예상된다. 또한, 뉴모닉스는 이 기술을 광범위한 임베디드 솔루션에 전체적으로 적용하여 주요 임베디드 시장에 신 기술 성능 혜택뿐만 아니라 아키텍처 연속성을 통한 안정성과 신뢰성도 제공할 계획이다.
뉴모닉스 소개
뉴모닉스는 무선, 데이터, 임베디드 시장에서 늘고 있는 고객의 첨단화 요구에 부합하기 위해 다양한 통합 NOR, NAND, RAM, 상변화 비휘발성 메모리 기술을 설계 및 생산하고 있다. 뉴모닉스는 전세계 각국 고객들에게 고밀도 저전력 메모리 기술과 패키징 솔루션을 전달하는데 앞장 서고 있다. 뉴모닉스에 대한 자세한 내용은 www.numonyx.com에서 확인할 수 있다.