전력 반도체 분야의 세계적인 선도 공급업체이자 SiC (silicon carbide) 쇼트키 다이오드 분야의 첨단 공급업체인 인피니언 테크놀로지스는 자사의 3세대 thinQ!™ SiC 쇼트키 다이오드를 발표했다.

새로이 출시되는 3세대 thinQ! 다이오드는 해당 전류 등급 (current rating)에 있어 업계 최저의 디바이스 커패시턴스를 특징으로 하기 때문에 보다 높은 스위칭 주파수와 경부하 조건에서 전체 시스템 효율을 향상시켜 전반적인 전력 변환 시스템의 비용을 절감한다.

또한, 인피니언은 자사의 3세대 제품을 통해 TO-220 패키지 (2-lead version) 뿐만 아니라 고 전력밀도 표면실장 설계를 위한 DPAK 패키지를 포함하는, 업계에서 가장 광범위한 SiC 쇼트키 다이오드 포트폴리오를 제공할 수 있게 되었다.

SiC 쇼트키 다이오드의 주요 애플리케이션 영역은 SMPS (Switched-Mode Power Supply)의 능동 역률 보정 (CCM PFC)과 솔라 인버터 및 모터 구동 등과 같은 AC/DC 및 DC/DC 전력 변환 애플리케이션 등이다.

인피니언의 신형 SiC 쇼트키 다이오드의 디바이스 커패시턴스는 2세대 제품 대비 약 40% 낮아져 스위칭 손실을 낮춰준다. 예를 들어 250kHz에서 동작하는 1kW PFC단에서 20%의 부하 조건 시, 0.4%의 전체 효율이 개선된다. 보다 높은 스위칭 주파수를 통해 인덕터 및 커패시터와 같은 수동부품의 크기와 비용을 줄임으로써 더 높은 전력밀도의 설계를 가능케 한다. 전력손실 절감으로 히트싱크 (heat-sink)와 팬 (fan)의 크기, 개수와 관련하여 냉각 요건을 완화시켜 시스템 비용을 절감하는 동시에 신뢰성 수준을 증대시킬 수 있다. 인피니언은 일부 SMPS 애플리케이션에서 최대 20%의 시스템 비용 절감이 가능할 것으로 기대하고 있다.

인피니언 테크놀로지스의 산업 및 멀티마켓 사업부의 HV MOS 사업부문장인 얀-빌헬름 레이나에르트 (Jan-Willem Reynaerts)씨는 “인피니언은2001년 세계 최초로SiC 쇼트키 다이오드를 출시했다. 지난 8년 동안 인피니언은 자사의 SiC 쇼트키 다이오드 기술에 있어서 서지 전류 안정성, 스위칭 성능, 제품 비용 등에서 많은 의미 있는 개선을 달성했으며, SiC 기술의 이점을 보다 많은 애플리케이션으로 확대하고 이전보다 한층 경제적인 솔루션을 제공하고 있다”면서 “SiC는 진정한 혁신 기술로서 국제기후 보호활동을 지원하고 태양 에너지, 고효율 조명 시스템 등과 같은 새로운 시장을 주도할 수 있도록 해준다. 이번 신제품은 전력관리 시장에서의 인피니언의 선도력과 헌신을 다시 한번 확인시킨다”라고 말했다.