(롱비치, 캘리포니아주=뉴스와이어) 고성능 반도체 솔루션의 세계적인 공급업체인 페어차일드(NASDAQ: FCS)가 오늘 APEC 2016에서 자사의 최신 세대 100V N-Channel Power MOSFET의 주력 상품인 FDMS86181 100V 차폐 게이트 PowerTrench® MOSFET을 출시했다.
FDMS86181은 페어차일드의 차세대 PowerTrench MOSFET 중에서 성능이 가장 뛰어난 제품으로, 효율성이 크게 향상되고 전압 발진 현상이 감소했으며 전자파 장애(EMI) 정도가 낮아져 전력 공급 장치, 모터 드라이브 및 100V MOSFET이 필요한 기타 응용 분야에서 사용 가능하다.
거의 25년 전에 성공적인 PowerTrench MOSFET을 초기에 개발한 기업인 페어차일드는 이 최신 세대 PowerTrench 소자로 경쟁업체보다 앞서 MOSFET 기술 분야에서 계속 선두를 유지하고 고객들의 까다로운 시스템 전력 요구 사항을 충족할 수 있게 되었다.
“당사의 새로운 100V N-Channel FET는 업계를 대표하는 이전 세대의 PowerTrench MOSFET과 비교해 볼 때 상당한 발전을 이룬 제품이며, 효율성부터 신뢰성에 이르기까지 거의 모든 성능 범주에서 경쟁업체보다 훨씬 더 뛰어난 우위를 나타냅니다.”라고 페어차일드의 iFET 사업 부문 부사장 겸 총괄 관리자 Suman Narayan은 소감을 밝혔다.
새로운 FDMS86181의 주요 이점은 Rdson이 40% 줄어 전도 손실이 감소하고, 게이트 전하(Qg)가 최소화되어 전환 손실이 감소한다는 점이다. FDMS86181의 이례적으로 낮은 Qrr은 실질적으로 발진 현상을 일으키는 전압 과장을 제거하여 제품 설계 시 스너버의 축소 또는 제거가 가능하도록 하면서 EMI를 줄여준다. FDMS86181의 이 고유한 이점을 통해 설계자들은 제품 크기와 자재 명세서(BOM) 비용을 모두 줄일 수 있다.
새로운 100V PowerTrench MOSFET에 대한 자세한 정보와 샘플에 대해서는 fairchildsemi.com/powertrench 를 참조하면 된다.
언론연락처:페어차일드 윤지영 02-3498-0500
이 뉴스는 기업·기관이 발표한 보도자료 전문입니다.
FDMS86181은 페어차일드의 차세대 PowerTrench MOSFET 중에서 성능이 가장 뛰어난 제품으로, 효율성이 크게 향상되고 전압 발진 현상이 감소했으며 전자파 장애(EMI) 정도가 낮아져 전력 공급 장치, 모터 드라이브 및 100V MOSFET이 필요한 기타 응용 분야에서 사용 가능하다.
거의 25년 전에 성공적인 PowerTrench MOSFET을 초기에 개발한 기업인 페어차일드는 이 최신 세대 PowerTrench 소자로 경쟁업체보다 앞서 MOSFET 기술 분야에서 계속 선두를 유지하고 고객들의 까다로운 시스템 전력 요구 사항을 충족할 수 있게 되었다.
“당사의 새로운 100V N-Channel FET는 업계를 대표하는 이전 세대의 PowerTrench MOSFET과 비교해 볼 때 상당한 발전을 이룬 제품이며, 효율성부터 신뢰성에 이르기까지 거의 모든 성능 범주에서 경쟁업체보다 훨씬 더 뛰어난 우위를 나타냅니다.”라고 페어차일드의 iFET 사업 부문 부사장 겸 총괄 관리자 Suman Narayan은 소감을 밝혔다.
새로운 FDMS86181의 주요 이점은 Rdson이 40% 줄어 전도 손실이 감소하고, 게이트 전하(Qg)가 최소화되어 전환 손실이 감소한다는 점이다. FDMS86181의 이례적으로 낮은 Qrr은 실질적으로 발진 현상을 일으키는 전압 과장을 제거하여 제품 설계 시 스너버의 축소 또는 제거가 가능하도록 하면서 EMI를 줄여준다. FDMS86181의 이 고유한 이점을 통해 설계자들은 제품 크기와 자재 명세서(BOM) 비용을 모두 줄일 수 있다.
새로운 100V PowerTrench MOSFET에 대한 자세한 정보와 샘플에 대해서는 fairchildsemi.com/powertrench 를 참조하면 된다.
언론연락처:페어차일드 윤지영 02-3498-0500
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출처 : 페어차일드코리아홈페이지 : http://www.fairchildsemi.com
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