노벨러스 시스템(NASDAQ: NVLS)은 웨이퍼 레벨 패키징(WLP) 시장의 새로운 요구사항에 대응할 수 있는 해결책을 마련하고자 VECTOR PECVD, INOVA PVD, 및 감광액(Photoresist) 제거 장비인 GxT의 새로운 모델을 출시했다. 이 새로운 모델들은 노벨러스의 선진 배선 기술(Interconnect technology)을 활용했으며, 3D 통합의 기술적 문제점 해결을 위해 기존 패키징 장비들에게선 불가능했던 성능까지 구현하며, 이를 통해 업계 최고의 생산성을 제공한다.
저전력 소비, 시스템-인-패키징 성능의 확대와 함께 축소된 단면적 등을 선보이는 선진 패키징 기술은 더욱 빠른 로직 및 메모리 칩, 더 작으면서도 강력한 모바일 전자제품에 대한 소비자의 욕구에 의해 그 개발이 촉진되고 있다. TSV (Through-Silicon Vias)와 WLP 적층 구조와 같은 3D 통합 기술은 기존의 다이(Die) 패키징과 비교, 칩(chip)간의 배선 간격을 축소시켜 뚜렷한 성능 향상을 가능케 한다. TSV는 여러 개의 칩들이 “샌드위치”와 같이 겹쳐지도록 하는 상하구조를 형성, 소자 전체를 짧은 구리 경로로 연결시킨다. 또한, 마이크로 범프(Micro-bumps), 필러(pillar) 및 구리 재분배 레이어(RDL: Redistribution Layer)와 같은 WLP 기술은 I/O 숫자를 높이고 필요한 선 간격을 줄인다. 이러한 모든 3D 통합 구조는 새로운 금속과 절연 배선 물질의 응용을 촉진시키고 있다.
노벨러스는 우수한 배선 기술을 활용, WLP 시장에서의 기술적 요구 및 비용절감 문제에 대한 요구를 모두 만족시키는 새로운 생산 장비 조합을 개발했다. 최근 소개된 SABRE 3D는 최첨단 SABRE Electrofill® 기술을 사용, 성능과 경제성 면에서 업계의 새로운 표본을 세웠다. 이 혁신적인 시스템은 보이드(Void) 없는 매립을 위한 특허 받은 우수한 전처리 기법 (APT™), 구리 오버버든(overburden)을 감소시키는 XMM™ 및 높은 생산성과 함께 매립 균일성을 개선시킨 TurboCell™와 같은 기술을 포함한다. SABRE 3D의 모듈형 아키텍처는 TSV, 필러, RDL, 언더 범프 금속피복(under-bump metallization) 및 구리, 주석, 니켈, 주석-실버 등의 합금물과 납을 사용하지 않는 마이크로범핑 등과 같은 다양한 패키징 어플리케이션을 위해 여러 도금 및 전후 처리 셀(cell)과 함께 배열 가능하다.
INOVA 3D PVD 시스템은 노벨러스의 특허인 HCM® 스퍼터 기술(sputtering source)과 IONFLO™ 기술을 접목, 우수한 구리 측면 커버리지 및 높은 종단비 (aspect-ratio) TSV에서의 초저 결함율을 제공한다. 이온 유도방식을 통한 구리 흐름 방식은 기존의 PVD방식 대비, 훨씬 더 얇은 시드 레이어(seed layer)를 사용, 보이드 없는 매립을 가능케 하며, 이는 TSV PVD공정 단계에서의 생산원가를 50퍼센트 이상 감소시킨다. 또한, INOVA 3D는 IONX™ 티타늄 및 타겟 사용주기를 10,000kw-hrs 이상으로 늘리는 IONX™ XL 탄탈륨 소스 기술을 제공, 장비의 가동률을 증대시키고 본 공정에서의 총 소모비용을 절감시킨다.
VECTOR 3D 시스템은 전 세계적으로 1,000대 이상의 VECTOR PECVD 에 사용되고 있는 다층 순차 적층 방식 (MSSD: Multi-Station Sequential Deposition)의 특허기술이다. MSSD 아키텍처는 최근 개발된 PECVD 공정과 접목되어, VECTOR 3D가 본딩된 하부막과 호환 가능한 저단가, 저온 증착물을 생성하는 것을 가능케 한다. 저온 공정으로는 질화규소(SiN) 확산 방지막, 산화규소(SiO2) 분리막 및 보호막 등이 있다. 이 시스템은 이 막들의 허미티시티(hermiticity)와 전기적 특성을 조절, 고온 절연 공정에서 얻어지는 증착물과 유사한 품질을 보장하는 기술을 사용하고 있다. 또한, VECTOR 3D는 비아 미들(via-middle) 및 비아 라스트(via-last) 통합 구성에 사용되는 TSV 구조를 위한 고품질의 절연 선형 증착이 가능토록 설계 되었다.
G3D 감광액 제거 시스템은 RDL 및 필러 생산 과정에서 사용되었던 두꺼운(20-100 마이크론) 감광액을 잔여물 없이 신속하게 제거하고, 고 종단비 TSV의 세정을 달성하도록 설계되었다. G3D의 경쟁력으로는 높은 생산성, 저온공정 및 지속적인 감광액과 식각 잔여물 제거를 위한 초균일 플라즈마를 제공하는 시스템의 높은 식각율 ICP(ash rate inductively-coupled plasma) 소스로 인한 높은 세정 능력 등을 꼽을 수 있다. 또한, G3D는 유연한 RF 량과 가스 분사 조절 능력 및 저온공정의 능력으로 인해 독보적인 생산성 및 잔여물 없는 식각을 위한 폭넓은 공정 윈도우를 제공한다.
노벨러스 반도체 생산 총괄 수석부사장인 푸센 첸(Fusen Chen)박사는 “웨이퍼 레벨 패키징은 노벨러스의 ECD, PECVD, PVD 및 감광액 제거에서의 핵심 배선 능력을 활용한 새로운 기술적 요구를 가속화시켰다”고 말하고, “이러한3D 조합의 새로운 요구 사항을 충족하기 위해 첨단 증착 및 감광액 제거 기술을 적용한 장비와 공정의 조합을 개발했다”고 그 취지를 설명했다.
저전력 소비, 시스템-인-패키징 성능의 확대와 함께 축소된 단면적 등을 선보이는 선진 패키징 기술은 더욱 빠른 로직 및 메모리 칩, 더 작으면서도 강력한 모바일 전자제품에 대한 소비자의 욕구에 의해 그 개발이 촉진되고 있다. TSV (Through-Silicon Vias)와 WLP 적층 구조와 같은 3D 통합 기술은 기존의 다이(Die) 패키징과 비교, 칩(chip)간의 배선 간격을 축소시켜 뚜렷한 성능 향상을 가능케 한다. TSV는 여러 개의 칩들이 “샌드위치”와 같이 겹쳐지도록 하는 상하구조를 형성, 소자 전체를 짧은 구리 경로로 연결시킨다. 또한, 마이크로 범프(Micro-bumps), 필러(pillar) 및 구리 재분배 레이어(RDL: Redistribution Layer)와 같은 WLP 기술은 I/O 숫자를 높이고 필요한 선 간격을 줄인다. 이러한 모든 3D 통합 구조는 새로운 금속과 절연 배선 물질의 응용을 촉진시키고 있다.
노벨러스는 우수한 배선 기술을 활용, WLP 시장에서의 기술적 요구 및 비용절감 문제에 대한 요구를 모두 만족시키는 새로운 생산 장비 조합을 개발했다. 최근 소개된 SABRE 3D는 최첨단 SABRE Electrofill® 기술을 사용, 성능과 경제성 면에서 업계의 새로운 표본을 세웠다. 이 혁신적인 시스템은 보이드(Void) 없는 매립을 위한 특허 받은 우수한 전처리 기법 (APT™), 구리 오버버든(overburden)을 감소시키는 XMM™ 및 높은 생산성과 함께 매립 균일성을 개선시킨 TurboCell™와 같은 기술을 포함한다. SABRE 3D의 모듈형 아키텍처는 TSV, 필러, RDL, 언더 범프 금속피복(under-bump metallization) 및 구리, 주석, 니켈, 주석-실버 등의 합금물과 납을 사용하지 않는 마이크로범핑 등과 같은 다양한 패키징 어플리케이션을 위해 여러 도금 및 전후 처리 셀(cell)과 함께 배열 가능하다.
INOVA 3D PVD 시스템은 노벨러스의 특허인 HCM® 스퍼터 기술(sputtering source)과 IONFLO™ 기술을 접목, 우수한 구리 측면 커버리지 및 높은 종단비 (aspect-ratio) TSV에서의 초저 결함율을 제공한다. 이온 유도방식을 통한 구리 흐름 방식은 기존의 PVD방식 대비, 훨씬 더 얇은 시드 레이어(seed layer)를 사용, 보이드 없는 매립을 가능케 하며, 이는 TSV PVD공정 단계에서의 생산원가를 50퍼센트 이상 감소시킨다. 또한, INOVA 3D는 IONX™ 티타늄 및 타겟 사용주기를 10,000kw-hrs 이상으로 늘리는 IONX™ XL 탄탈륨 소스 기술을 제공, 장비의 가동률을 증대시키고 본 공정에서의 총 소모비용을 절감시킨다.
VECTOR 3D 시스템은 전 세계적으로 1,000대 이상의 VECTOR PECVD 에 사용되고 있는 다층 순차 적층 방식 (MSSD: Multi-Station Sequential Deposition)의 특허기술이다. MSSD 아키텍처는 최근 개발된 PECVD 공정과 접목되어, VECTOR 3D가 본딩된 하부막과 호환 가능한 저단가, 저온 증착물을 생성하는 것을 가능케 한다. 저온 공정으로는 질화규소(SiN) 확산 방지막, 산화규소(SiO2) 분리막 및 보호막 등이 있다. 이 시스템은 이 막들의 허미티시티(hermiticity)와 전기적 특성을 조절, 고온 절연 공정에서 얻어지는 증착물과 유사한 품질을 보장하는 기술을 사용하고 있다. 또한, VECTOR 3D는 비아 미들(via-middle) 및 비아 라스트(via-last) 통합 구성에 사용되는 TSV 구조를 위한 고품질의 절연 선형 증착이 가능토록 설계 되었다.
G3D 감광액 제거 시스템은 RDL 및 필러 생산 과정에서 사용되었던 두꺼운(20-100 마이크론) 감광액을 잔여물 없이 신속하게 제거하고, 고 종단비 TSV의 세정을 달성하도록 설계되었다. G3D의 경쟁력으로는 높은 생산성, 저온공정 및 지속적인 감광액과 식각 잔여물 제거를 위한 초균일 플라즈마를 제공하는 시스템의 높은 식각율 ICP(ash rate inductively-coupled plasma) 소스로 인한 높은 세정 능력 등을 꼽을 수 있다. 또한, G3D는 유연한 RF 량과 가스 분사 조절 능력 및 저온공정의 능력으로 인해 독보적인 생산성 및 잔여물 없는 식각을 위한 폭넓은 공정 윈도우를 제공한다.
노벨러스 반도체 생산 총괄 수석부사장인 푸센 첸(Fusen Chen)박사는 “웨이퍼 레벨 패키징은 노벨러스의 ECD, PECVD, PVD 및 감광액 제거에서의 핵심 배선 능력을 활용한 새로운 기술적 요구를 가속화시켰다”고 말하고, “이러한3D 조합의 새로운 요구 사항을 충족하기 위해 첨단 증착 및 감광액 제거 기술을 적용한 장비와 공정의 조합을 개발했다”고 그 취지를 설명했다.
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