IDT, 업계 최저 지터 성능의 MEMS 오실레이터 출시 IDT, 업계 최저 지터 성능의 MEMS 오실레이터 출시
신혜임 2013-03-28 09:22:55

핵심 반도체 솔루션 시장을 선도하는 아날로그 디지털 기업 IDT(www.idt.com, 한국 지사장: 이상엽)는 오늘 업계 최초로 100펨토초의 위상 지터(typ) 성능과 통합 주파수 마지닝 기능이 특징인 차동 MEMS 오실레이터를 선보였다. IDT의 새로운 고성능 오실레이터는 초저위상 지터 및 적응형 출력 주파수를 통해 10GbE(기가비트 이더넷) 스위치, 라우터 및 기타 관련 네트워킹 장비에서 비트 오류율(BER)을 대폭 낮춰 준다. 

IDT의 4H 성능 MEMS 오실레이터는 차동형 LVDS/LVPECL 출력과 동급 제품 중에서 가장 낮은 위상 지터(100fs @ 1.875~20MHz 및 300fs 미만 @ 12kHz~20MHz)를 바탕으로 고성능 네트워킹 애플리케이션의 저지터 칩셋 요구 사항을 충족한다. 또한 주파수 마지닝 기능이 통합되어 있어 애플리케이션에서 동작 중에 오실레이터 주파수를 최대 ±1000ppm씩 미세 조정할 수 있어 BER을 최소화하고 마진 테스팅을 편리하게 수행할 수 있다. IDT의 4H MEMS 오실레이터는 집적도가 높은 애플리케이션에서 보드 공간과 비용을 절감하는 소형 3225(3.2mm x 2.5mm)를 포함해 다양한 패키지 크기로 제공된다. MEMS 오실레이터의 이 같은 성능, 사양 및 작은 패키지 크기를 최적의 조합으로 제공할 수 있는 회사는 IDT가 유일하다. 

IDT 타이밍 및 동기화 사업부의 부사장 겸 총괄 매니저인 크리스천 커마렉(Christian Kermarrec)은 “IDT가 최근 선보인 MEMS 오실레이터 시리즈는 표준 4M 및 강화된 4E 오실레이터 시리즈를 기반으로 제작되어 10GbE 및 네트워킹 애플리케이션의 까다로운 성능 요건을 충족한다”고 말했다. 그는 “타이밍 솔루션 부문을 선도하는 IDT는 고객의 차세대 제품 개발을 지원하는 업계 최고 성능의 부품과 혁신적인 기능을 갖추고 있다”며, “많은 OEM들이 IDT가 제공하는 경험과 혁신 기술 때문에 여러 신생 MEMS 공급업체들 대신 IDT를 선택하여 매우 기쁘게 생각한다”고 밝혔다. 

시장조사회사인 IHS에서 MEMS 및 센서 분야를 담당하는 제레미 부쇼(Jeremie Bouchaud) 수석 분석가 겸 책임자는 “현재 클라우드 컴퓨팅 및 스토리지 인프라가 급격히 증가하면서 서버 및 스토리지 클러스터의 50% 가까이가 10GbE로 제공되고 있다. 고성능 MEMS 오실레이터를 사용하면 엔터프라이즈 컴퓨팅 및 스토리지 인프라에서 BER을 낮추는 것은 물론 안정성을 크게 높일 수 있다”고 말했다. 

IDT의 통합된 주파수 마지닝 기능을 통해 고객은 업계에서 ‘플러스 PPM 클러킹(plus-PPM clocking)’으로 알려진 기술을 활용할 수 있게 되었다. 이 기술은 약간 더 높은 주파수에서 시스템을 클러킹하여 OEM이 네트워킹 애플리케이션에서 BER과 패킷 손실을 낮출 수 있게 해 준다. 고정 주파수만 제공하는 경쟁사의 MEMS 디바이스와 달리 IDT의 디바이스는 최종 완성된 시스템에서도 최대 625MHz까지의 범위에서 기저 주파수를 선택한 후 수백 개의 오프셋 주파수를 생성할 수 있게 해 준다. 이를 통해 디자이너들은 개발 프로세스 속도를 높이고 시스템 성능을 최적화할 수 있다. 

4H MEMS 오실레이터는 IDT의 특허 받은 압전 MEMS(pMEMS™) 공진기 기술을 활용하여 탁월한 성능과 안정성을 자랑하는 고주파 소스를 제공한다. IDT MEMS 오실레이터는 액티비티 딥(Activity Dip)과 제로 타임 장애가 발생하지 않고, EMI에 대한 지터 저항이 훨씬 높으며, 내충격 및 내진동성도 탁월해 수정보다 안정성이 40배 더 뛰어나다. 이러한 특성 덕분에 IDT의 MEMS 오실레이터 제품은 기존 수정 기반 오실레이터에 대한 이상적인 업그레이드 솔루션으로 활용할 수 있다. 

IDT 4H 제품군은 성공적인 4M 및 4E MEMS 오실레이터 시리즈를 기반으로 확장된 제품이다. 4M 표준 오실레이터는 1피코초(ps) 미만의 위상 지터를 갖춘 차동 수정 오실레이터에 대한 드롭인 대체품(Drop-in Replacement)으로 사용하기에 매우 적합하다. 4E 강화 오실레이터는 LVDS 또는 LVPECL 출력과 동기식 CMOS 출력을 단일 패키지에 통합하고 있어 외부 크리스털이나 보조 오실레이터를 사용할 필요가 없다. 또한 4E 오실레이터는 4가지 출력 주파수를 선택할 수 있어 단일 디바이스로 4개의 컴포넌트를 대체할 수 있다. 이로써 사용자는 BOM(Bill Of Material)을 줄이고 인벤토리를 통합할 수 있다. 

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