ST마이크로일렉트로닉스(www.st.com)는 더 나은 성능이나 집적도에 대한 수요를 모두 지원하기위해 새로운 RF 신디사이저 STW81200을 선보였다. 이번 제품은 ST의 BiCMOS(SiGe) 공정 기술을 적용하여 한 개의 칩에 광대역 전압제어 오실레이터(VCO), 정수형/분수형 이중 위상고정 루프(PLL) 코어, 저잡음 전압 레귤레이터를 집적시키고 프로그래머블 하드웨어 옵션들을 더해서 RF 조건을 폭넓게 만족시킨다.

기지국, 무선 링크, 위성, 통신 및 계측기와 같은 애플리케이션에서는 전체적인 시스템 성능이 RD 신디사이저의 위상 잡음 특성과 긴밀하게 연관되어 있다. 또한 RF 성능과는 상관없이 집적도나 비용은 최적화를 필요로 한다. STW81200은 업계 최고의 유연성을 제공하는 RF 신디사이저로서 이러한 필요를 충족시키기 위해 50MHz~6GHz의 폭 넓은 주파수 범위에서 다중 대역, 다중 표준의 소프트웨어 기반 무선통신(software-defined radios, SDR) 개발을 지원하는 한편, -227dBc/Hz의 정규화된 대역 내 위상잡음 플로어, 4.0GHz 반송자에서 1MHz 오프셋으로 -135dBc/Hz의 VCO 위상잡음, 그리고 -160dBc/Hz의 잡음 플로어를 제공한다.

STW81200은 5V, 3.6V, 3.0V단일 전원을 자유롭게 사용할 수 있고 전력소비를 성능에 따라 조절할 수 있는 특징이 있어서 기존의 교류 전원 인프라에서 배터리 기기까지 다양한 애플리케이션에 폭 넓게 사용 가능하다. 이번 새로운 신디사이저는 ST의 성공적인 STW8110x 제품군에서 자연스러운 혁신을 이룬 제품으로 더욱 뛰어난 성능과 함께 같은 보드 설계로 다수의 대역과 RF 규격(물류 관련) 지원을 할 수 있는 향상된 유연성을 제공 한다. 또한 집적도가 더 우수하고 자재 비용이 줄어서 비용 절감의 효과도 탁월하다.

<반도체네트워크 11월>