리니어 테크놀로지 코리아(대표 홍사곽, www.linear.com)는 고속 고입력 공급 전압(100V)의 싱크로너스 MOSFET 드라이버(제품명: LTC4444)를 개발했다고 밝혔다. 이 제품은 싱크로너스 정류 컨버터 토폴로지에서 고/저전력 N채널 MOSFET를 구동할 수 있도록 고안되었다. 이 드라이버는 파워 MOSFET과 리니어 테크놀로지의 DC/DC 컨트롤러와 함께 완전한 기능을 갖춘 고효율 싱크로너스 컨버터를 구성한다. 이 강력한 드라이버는 top MOSFET를 구동할 수 있도록 1.2Ω 풀다운(pull-down) 임피던스의 최대 2.5A까지 전류를 제공하고, bottom MOSFET를 위해서는 0.55Ω 풀다운 임피던스의 3A의 소스를 제공할 수 있다. 따라서 높은 게이트 커패시턴스, 고전류 MOSFET을 구동하는데 이상적이다. 그리고, 1,000pF 부하 구동 시, top MOSFET의 8ns의 빠른 상승 시간(rise time)과 5ns의 하강 시간(fall time), 그리고 bottom MOSFET의 6ns의 상승 시간과 3ns의 하강 시간은 스위칭 손실을 최소화 한다. 어댑티브 슛스루(adaptive shoot-through) 보호 기능은 데드 타임을 최소화 할 수 있도록 통합되었으며, upper 및 lower MOSFET이 동시에 전도되는 것을 방지한다. LTC4444는 2개의 서플라이 독립 입력을 위해 구성될 수 있다. 하이사이드 입력 로직 신호는 내부적으로 부트스트랩 서플라이로 레벨 시프팅 되어 그라운드 위, 최대 114V에서 기능을 다할 수 있다. 뿐만 아니라 이 부품은 7.2V ~ 13.5V에서 upper 및 lower MOSFET 게이트 모두를 구동한다. LTC4444EMS8 및 LTC4444IMS8은 열성능이 강화된 MSOP-8 패키지로 제공되며, 가격은 1천개 기준으로 개당 1.69달러 정도이다. 제품 특징: LTC4444 고속/고전압 싱크로너스 N채널 MOSFET 드라이버 100V 최대 공급 전압 높은 구동 전류 - 3A 소스, 0.55Ω 싱크 7.2V ~ 13.5V 게이트 드라이브 전압 어댑티브 슛쓰루(Shoot-Through) 방지 기능 1,000pF 구동 시 top 게이트 8ns 상승, 5ns 하강 시간 1,000pF 구동 시 bottom 게이트 6ns 상승, 3ns 하강 시간 게이트 드라이브 전압을 위한 부족 전압 록아웃(lockout) 열 성능 강화 MSOP-8 패키지 출처 : 리니어테크놀로지코리아