광주과기원 연구팀이 지능형포장기술, 전파무선식별태그, 플라스틱 대형스크린 등과 같은 미래 전자산업 기술의 실현과 상용화에 핵심기반 기술인 차세대 유기메모리소자의 개발에 성공해 세계적인 학술지 네이처가 이를 상세히 소개하는 등 국제학계의 큰 주목을 끌고 있다. 광주과학기술원(GIST, 원장 허성관) 신소재공학과 김동유(44) 교수 연구팀은 유기박막트랜지스터(OTFT)를 기반으로 하는 차세대 유기 메모리 소자 개발에 성공했다고 밝혔다. 이 연구는 "전하 저장층(Electret)을 이용한 유기전계효과트랜지스터(OFETs) 기반 비휘발성 유기물 메모리"라는 제목으로 재료공학 분야에서 세계적 지명도를 자랑하는 ‘신소재(Advanced Materials, 영향력지수(Impact Factor) 9.107)’ 최근호에 게재됐다.((Advanced Materials, Vol. 18, Issue 23, (December, 2006), Organic Non-Volatile Memory Based on Pentacene Field-Effect Transistors Using a Polymeric Gate Electret (p 3179-3183)) 영국의 세계적인 과학학술지 ‘네이처’도 최근호(2007.1.18, Vol.445)에서 미래 플라스틱 전자산업 실현을 위해 필수적인 유기 메모리 소자 개발을 위한 획기적인 연구 성과로 김 교수팀의 연구결과를 이례적으로 자세히 소개했다. `네이쳐`지는 김 교수팀이 개발한 유기 트랜지스터 메모리 소자가 구동 전압이나 안정성 측면 등 몇 가지 해결해야 문제점에도 기존에 보고된 유기 트랜지스터 기반 메모리 소자에 비해 최대 백만 배 이상 빠른 성능을 발휘하는 등 탁월한 특성을 보여준 점을 높이 평가했다. 광주과기원 박사과정 백강준(지도교수 김동유) 학생이 연구 과정에 주도적으로 참여해 석사학위 논문으로 연구 발표한 이 차세대 유기메모리 소자는 기존의 유기박막트랜지스터를 기반으로, 유기 반도체 층과 절연막 사이에 전하를 저장할 수 있는 고분자 전하 저장층을 삽입함으로써 탁월한 메모리 특성을 구현한 것이 특징이다. 이는 기존에 보고된 유기물 트랜지스터 기반 메모리 소자에 비해 최대 백만 배 이상 빠른 성능을 발휘하는 등 탁월한 유기 트랜지스터 및 메모리 특성을 동시에 보여준다. 이로써 기존의 실리콘 기반 플래시 메모리의 구조와 기능을 그대로 채용하면서도, 메모리 제조 단가를 획기적으로 낮출 수 있는 길을 제시할 수 있게 됐다. 김동유 교수는 “이번 개발성과는 `플라스틱 전자공학`과 접목돼, 구부릴 수 있고, 투명하며, 가볍고, 저렴한 가격의, 일회용 사용이 가능한 차세대 유기 전자소자로 광범위하게 활용될 수 있어 궁극적으로는 유비쿼터스 사회구현에 큰 기여를 할 것으로 보인다”며 “이 연구는 광주과기원이 수행하고 있는 분자레벨 집적화 시스템 연구와 더불어 노벨상 수상자 초빙 공동연구의 일환으로, 지난 2000년도에 노벨 화학상을 수상한 미국 히거(Alan J. Heeger)교수와 공동으로 수행하고 있는 `히거신소재연구센터(HCAM)`의 값진 결과물 중의 하나로, 광주과기원이 향후 유기메모리 분야를 포함한 유기 전자공학 분야에서 선도적 역할을 수행할 수 있음을 보여는 것이다”고 말했다. 언론문의처 : GIST 혁신홍보팀 임성훈 062-970-2016 출처 : 광주과학기술원 홈페이지 : http://www.gist.ac.kr