Technology 2025-04-09 09:45:47
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  • 어떻게 LED를 구동하면서 동시에 보호할 것인가? 어떻게 LED를 구동하면서 동시에 보호할 것인가? 김재호 2014-07-10 13:52:42 이 글에서는 LED가 왜 조명용으로 선택되고 있으며, LED는 어떻게 구동하며, 그와 동시에 각각의 특정 구현으로 직면하는 위험으로부터 LED를 어떻게 보호할 것인지를 비롯해서, LED에 대해서 논의하려고 한다.글/Tony Armstrong, Director of...
  • 배터리를 충전할 때 어떻게 전원 공급 장치로부터 최대의 전력을 추출할 것인가? 배터리를 충전할 때 어떻게 전원 공급 장치로부터 최대의 전력을 추출할 것인가? 김재호 2014-07-08 11:25:21 이 글에서는 공급 전원과 배터리 사이에 바람직하지 않은 저항에도 불구하고 어댑터로부터 최대의 전력을 추출하기 위해서는 충전 회로를 어떻게 설계해야 할 것인지에 대해 설명해 보고자 한다.글/징 예 (Jing Ye) 시스템 엔지니어, 제프 폴린 (Jeff Falin)...
  • 새로운 48V 자동차 파워 버스에 적합한 배터리 관리 시스템 구현 기술 새로운 48V 자동차 파워 버스에 적합한 배터리 관리 시스템 구현 기술 김재호 2014-07-08 09:52:41 새로운 48V 전력 시스템은 ICE 구동 차량의 연료 소모를 대폭 절감하기 위한 최후의 방법 중 하나이다.또한 차량 제조업체들은 이 시스템을 통해 신형 차량의 배터리 수명을 한층 늘릴 수 있게 된다. 현재 사용되고 있는 차량들은 12V 배터리로 작동하는 전기 시스...
  • 광대역 GSPS ADC의 SFDR(Spurious Free Dynamic Range) 이해 광대역 GSPS ADC의 SFDR(Spurious Free Dynamic Range) 이해 김재호 2014-07-08 09:23:07 GSPS(gigasample-per-second) ADC의 경우 가장 중요한 AC 성능 사양중 하나는 SFDR(Spurious Free Dynamic Range)이다.SFDR을 단순하게 표현하면, 다른 잡음이나 스퓨리어스 주파수로부터 반송파 신호를 판독해내는 AD...
  • 스마트폰 백라이트 장치를 위한 페어차일드의 고효율변환 솔루션 스마트폰 백라이트 장치를 위한 페어차일드의 고효율변환 솔루션 정요희 2010-08-13 00:00:00 핸드폰 시장이 성장하고 스마트폰의 사용과 성장률이 훨씬 더 증가하게 되면서 설계자들은 전체적인 설계의 부품 수와 구조크기를 줄이면서 기능을 추가하는 도전을 받게 되었다. 고객의 이러한 요구에 부응하기 위해 페어차일드는 1mm x 1mm의 작은 면적에 N 채널, 쇼...
  • 삼성전자, 첨단 32나노 HKMG 로직공정 파운드리 업계 최초 개발 문정희 2010-06-11 00:00:00 삼성전자가 11일 파운드리 업계 최초로 32나노 저전력 ‘HKMG(하이-케이 메탈 게이트, High-K Metal Gate)’ 로직 공정을 개발했다고 밝혔다. 이번 첨단 32나노 ‘하이-케이 메탈 게이트’ 로직공정 개발로 삼성전자는 파운드리 고객들에게 차별화되고 ...
  • GIST, 청색 LED 발광 효율 30% 증가시킨 원천기술 개발 박서경 2010-04-21 00:00:00 국내연구진이 차세대 조명 광원인 InGaN* 청색 LED의 발광 효율을 최고 30%이상 증가시킨 원천기술을 개발하였다. * InGaN(인듐갈륨나이트라이드) : 백색·청색·녹색·자외선 LED의 활성층을 구성하는데 필수적인 물질 정건영 교수(광주과기원 신소재공학...
  • 삼성전자, 세계 최초 '4기가 DDR3 D램' 양산 삼성전자, 세계 최초 '4기가 DDR3 D램' 양산 김재호 2010-02-26 00:00:00 삼성전자가 세계 최초로 4Gb(기가비트) DDR3(Double Date Rate 3) D램 양산에 들어가며 대용량 D램 시장 선점에 나선다. 삼성전자는 지난해 1월 50나노급 공정을 이용해 세계 최초로 개발한 4Gb DDR3 D램을 이 달부터 40나노급 최신 공정...
  • 삼성전자, 세계 최초 30나노 D램 개발 박서경 2010-02-01 00:00:00 삼성전자가 지난 1월 세계 최초로 30나노급 공정을 적용한 2Gb(기가비트) DDR3(Double Data Rate 3) D램을 개발했다. 삼성전자가 이번에 개발한 30나노급 D램은 지난해 1월 40나노급 D램을 개발한 뒤 1년만에 차세대 공정을 적용해 개발한 것...
  • 불순물 도핑 없는 반도체 나노선의 양전하 생성 원인 규명 불순물 도핑 없는 반도체 나노선의 양전하 생성 원인 규명 김재호 2009-12-30 00:00:00 KAIST 장기주 교수, 불순물 도핑 없는 반도체 나노선의 양전하 생성 원인 규명 KAIST 물리학과 장기주(張基柱, 56) 교수팀이 게르마늄-실리콘 나노선에서 불순물 도핑 없이도 양전하가 생성되는 원인을 최근 규명했다 실리콘 나노선 및 게르마늄-실리콘 코어-쉘 ...
  • 데이터 수집과 모션 제어를 위한 통합 솔루션 데이터 수집과 모션 제어를 위한 통합 솔루션 김재호 2009-12-21 00:00:00 저가의 16-bit 다기능 PCI DAQ Card데이터 수집과 모션 제어를 위한 통합 솔루션 다스씨스템은 원가 절감과 경쟁력을 높이기 위한 고객들의 요구에 발맞춰서 새롭게 출시된 ADLINK Technology Inc.사의 보다 저렴하고 많은 기능을 통합 제공하는...
  • 누설전류의 원천적 차단 가능한 ‘20nm갭 기계식 나노집적소자’ 세계 최초 개발 누설전류의 원천적 차단 가능한 ‘20nm갭 기계식 나노집적소자’ 세계 최초 개발 박서경 2009-12-07 00:00:00 고가의 반도체 기판 대신 저렴한 유리기판이나 플렉서블(flexible) 플라스틱 기판에도 적용이 가능하고, 3低(초저가·초저전력·초 저탄소) CPU를 실현할 수 있는 나노집적소자 원천 기술이 국내연구진에 의해 세계 최초로 개발되었다. 교육과학기술부는 KAIST...