사진. 인피니언

신 2세대(G2) CoolSiC 기술 탑재
인공지능(AI) 프로세서의 전력 요구량이 증가함에 따라 서버 전원공급장치(PSU)는 서버 랙의 지정된 규격을 넘지 않으면서 점점 더 많은 전력을 제공해야 한다. 이러한 요구에 대응하기 위해 인피니언 테크놀로지스는 SiC MOSFET 개발을 650V 미만 전압으로 확대해, 최신 2세대(G2) CoolSiC 기술을 기반으로 하는 새로운 CoolSiC™ MOSFET 400V 제품군을 출시했다.

이 새로운 MOSFET 포트폴리오는 AI 서버의 AC/DC 스테이지를 위해 특별히 개발됐으며, 인피니언이 최근에 발표한 PSU 로드맵을 보완한다. 이들 디바이스는 태양광 및 에너지저장시스템(ESS), 인버터 모터 제어에도 이상적이다.

인피니언의 파워시스템 사업부 책임자인 리차드 쿤치치(Richard Kuncic)는 “인피니언은 AI 서버 전원공급장치의 까다로운 설계 및 공간 요구 사항을 충족하는 광범위한 고성능 MOSFET 및 GaN 트랜지스터 포트폴리오를 제공한다”라며 “인피니언은 첨단 AI 애플리케이션에서 최고의 에너지 효율을 달성할 수 있도록 CoolSiC MOSFET 400V G2와 같은 첨단 제품으로 고객을 지원하기 위해 최선을 다하고 있다”라고 말했다.

3배 이상의 전력 밀도로 8㎾ 이상 제공
CoolSiC™ MOSFET 400V는 기존 650V SiC 및 Si MOSFET에 비해 낮은 전도 손실과 스위칭 손실을 특징으로 한다. 멀티레벨 PFC로 구현했을 때 AI 서버 PSU의 AC/DC 스테이지는 100W/in3 이상의 전력 밀도와 99.5%의 효율을 달성한다. 이것은 650V SiC MOSFET을 사용한 솔루션에 비해 0.3%포인트 효율이 향상된 것이다. 또한 DC/DC 스테이지에 CoolGaN™ 트랜지스터를 구현해 AI 서버 PSU용 시스템 솔루션이 완성됐다. 이와 같이 고성능 MOSFET과 CoolGaN™ 트랜지스터를 결합하면 현재 솔루션에 비해 3배 이상의 전력 밀도로 8㎾ 이상을 제공할 수 있다.